基本特性

　　高熔點：2620°C，適合高溫環(huán)境（如真空爐、半導(dǎo)體工藝）。

　　高強(qiáng)度：抗拉強(qiáng)度高，尤其在高溫下仍保持良好機(jī)械性能。

　　低熱膨脹系數(shù)：與玻璃、陶瓷匹配，用于電子封裝。

　　良好導(dǎo)熱/導(dǎo)電性：適用于電子元件散熱層或電極。

　　耐腐蝕性：耐熔融玻璃、金屬鹽的侵蝕，但高溫下易氧化（需惰性氣體保護(hù)）。

　　常見規(guī)格

　　厚度：0.01mm~0.2mm（超薄箔可達(dá)微米級）。

　　寬度：通常≤300mm（可定制更大尺寸）。

　　純度：≥99.95%（高純級用于半導(dǎo)體）。

　　主要應(yīng)用

　　電子工業(yè)：

　　半導(dǎo)體芯片的襯底、濺射靶材。

　　柔性電路、薄膜太陽能電池的電極材料。

　　高溫領(lǐng)域：

　　真空爐隔熱屏、高溫傳感器基板。

　　藍(lán)寶石單晶生長爐的支撐襯墊。

　　航空航天：

　　火箭噴嘴、衛(wèi)星部件的耐高溫涂層基材。

　　醫(yī)療：X射線管旋轉(zhuǎn)陽極的基底材料。